Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 28

Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.1 13.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 27
Скорость чтения, Гб/сек

13.3 14.1
Скорость записи, Гб/сек

8.5 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2213 2436

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB

Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

модули RAM