RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    72 left arrow 73
    Около 1% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    9.1 left arrow 1,938.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    72 left arrow 73
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,241.0 left arrow 15.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,938.7 left arrow 9.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    677 left arrow 1843

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Сравнения RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
модули RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
модули RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
модули RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
модули RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
модули RAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
модули RAM