RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3166
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link