RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
44
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2170
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link