RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
73
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
1843
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link