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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Raisons de considérer
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2680
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
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