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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
40
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
2680
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
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