RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
54
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
54
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1904
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link