Confronto tra le RAM Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

40 54

Intorno 26% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

12.3 9.3

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.9 7.3

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 12800

Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1789 1904

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns