RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
40
Autour de -90% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
3427
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link