RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
40
Autour de -14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2773
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link