RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
46
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
46
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2717
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link