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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2587
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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