RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2913
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link