RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
40
Autour de -5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2363
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link