RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
3,071.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
70
Autour de -192% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
70
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,372.7
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
3,071.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
2925
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link