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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
54
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
54
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
2511
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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