Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    40 left arrow 54
    Wokół strony 26% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.7 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    11.6 left arrow 8.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    40 left arrow 54
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.3 left arrow 15.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.9 left arrow 11.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1789 left arrow 2511
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania