RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
54
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
2511
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FE 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link