RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
75
Autour de 60% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
75
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1590
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link