RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
30
Autour de -15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
26
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2808
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link