RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2575
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link