RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
30
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3735
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link