RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3433
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link