RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2984
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link