RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3166
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link