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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2432
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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