RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2388
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link