RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
4060
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link