RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
30
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3801
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link