RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
30
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
21
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3034
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link