RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
30
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3098
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link