RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
35
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2179
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link