RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2695
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
INTENSO 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link