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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.4
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
43
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
12800
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1823
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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