RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1989
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link