RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
46
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2717
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link