RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
30
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.0
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
18.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3543
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link