RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3029
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link