RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
17.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1348
3860
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link