RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
41
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1348
3222
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Elpida EBJ21UE8BFU0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link