RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
38
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
37
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2688
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link