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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
7.2
14.7
写入速度,GB/s
3.0
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2688
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
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