RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
38
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
22
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
3779
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link