RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
3.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
3779
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link