RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
38
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
34
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2665
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link