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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Note globale
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
3.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
7.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
3.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
915
2768
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
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