RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Comparar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
38
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
7.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
3.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
35
Velocidade de leitura, GB/s
7.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
3.0
11.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
915
2768
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link