RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
43
Autour de -87% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.0
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1393
2575
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link