RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
43
Intorno -87% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
23
Velocità di lettura, GB/s
11.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
2575
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link