RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
31
Autour de 13% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
3367
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link